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.少子寿命测试仪

更新时间:2016-05-20

访问量:686

厂商性质:生产厂家

生产地址:北京美华仪科技有限公司

简要描述:
MHY-14351.少子寿命测试仪 是参考美 A.S.T.M 标准而的用于测量硅单晶的非平衡少数载子寿命。半导体材料的少数载子寿命测量,是半导体的常规测试项目之。本仪器灵敏度较,配备有红外光源,可测量包括集成电路硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
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.少子寿命测试仪 型号:MHY-14351

MHY-14351.少子寿命测试仪 是参考美 A.S.T.M 标准而的用于测量硅单晶的非平衡少数载子寿命。半导体材料的少数载子寿命测量,是半导体的常规测试项目之。本仪器灵敏度较,配备有红外光源,可测量包括集成电路硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 
 
根据际通用方法频光电导衰退法的原理,由稳压电源、频源、检波放大器,制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五份组成。采用印刷电路和频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。  
术 标 :  
 
 测试单晶电阻率范围  >2Ω.cm 
 可测单晶少子寿命范围  5μS~7000μS 
 配备光源类型  波长:1.09μm;余辉<1 μS;
 闪光频率为:20~30次/秒;
 闪光频率为:20~30次/秒; 
 频振荡源  用石英谐振器,振荡频率:30MHz 
 前置放大器  放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz 
 仪器测量重复误差  <±20% 
 测量方式  采用对标准曲线读数方式 
 仪器消耗率  <25W 
 仪器作条件  温度: 10-35℃、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz 
 可测单晶尺寸  断面竖测:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
 纵向卧测:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm; 
 配用示波器  频宽0—20MHz;
 电压灵敏:10mV/cm; 
 

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