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磁导率的定义

更新时间:2017-10-31   点击次数:4185次

磁导率是个物理名词,表示磁介质磁性的物理量。

  简介

  磁导率μ等于磁介质中磁感应强度B的微分与磁场强度H的微分之比,即μ=dB / dH

  通常使用的是磁介质的相对磁导率μr,其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比,即μr=μ/μ0

  相对磁导率μr与磁化率χ的关系是:μr=1+χ

  磁导率μ,相对磁导率μr和磁化率χ都是描述磁介质磁性的物理量。

  对于顺磁质μr>1;对于抗磁质μr<1,但两者的μr都与1相差无几 。在大多数情况下,导体的相对磁导率等于1.在铁磁质中,B与 H 的关系是非线性的磁滞回线,μr不是常量,与H有关,其数值远大于1。

  例如,如果空气(非磁性材料)的相对磁导率是1,则铁氧体的相对磁导率为10,000,即当时,以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。铸铁为200~400;硅钢片为7000~10000;镍锌铁氧体为10~1000。

  公式

  磁场的能量密度=B^2/2μ

  在际单位制(SI)中,相对磁导率μr是无量纲的纯数,磁导率μ的单位是亨利/米(H/m)。

  常用的真空磁导率

  常用参数

  (1)初始磁导率μi:是基本磁化曲线当H→0时的磁导率

  

磁导率的定义 表示磁介质磁性的物理量

 

  公式

  (2)zui大磁导率μm:在基本磁化曲线初始段以后,随着H的增大,斜率μ=B/H逐渐增大,到某磁场强度下(Hm),磁密度达到zui大值(Bm) ,即(3)饱和磁导率μS:基本磁化曲线饱和段的磁导率,μs值般很小,深度饱和时,μs=μo。

  (4)差分(增量)磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。ΔB及△H是在(B1,H1)点所取的增量如图1和图2所示。

  (5)微分磁导率,μd∶μd=dB /dH,在(B1,H1)点取微分,可得μd。

  可知:μ1=B1/H1,μ△=△B /△H,μd=dB1/dH1,三者虽是在同点上的磁导率,但在数值上是不相等的。

  非磁性材料(如铝、木材、玻璃、自由空间)B与H之比为个常数,用μ。来表示非磁性材料的的磁导率,即μ。=1(在CGS单位制中)或 μ。=4πX10o-7(在RMKS单位制中)。

  在众多的材料中,如果自由空间(真空)的μo=1,那△么比1略大的材料称为顺磁性材料(如白金、空气等);比1略小的材料,称为反磁性 材料(如银、铜、水等)。本章介绍的磁性元件μ1是大有用处的。只有在需要磁屏蔽时,才会用铜等反磁性材料做成屏蔽罩使磁元件的磁 不会辐射到空间中去。

  下面给出几个常用的参数式:

  

磁导率的定义 表示磁介质磁性的物理量

 

  公式

  (1)有效磁导率μro。在用电感L形成闭合磁路中(漏磁可以忽略),磁心的有效磁导率为:

  式中 L--绕组的自感量(mH);

  W--绕组匝数;

  磁心常数,是磁路长度Lm与磁心截面积Ae的比值(mm).

  (2)饱和磁感应强度Bs。随着磁心中磁场强度H的增加,磁感应强度出现饱和时的B值,称为饱和磁感应强度B。

  (3)剩余磁感应强度Br。磁心从磁饱和状态去除磁场后,剩余的磁感应强度(或称残留磁通密度)。

  (4)矫顽力Hco。磁心从饱和状态去除磁场后,继续反向磁化,直至磁感应强度减小到零,此时的磁场强度称为矫顽力(或保磁力)。

  

磁导率的定义 表示磁介质磁性的物理量

 

  公式

  (5)温度系数aμ°温度系数为温度在T1~T2范围内变化时,每变化1℃相应磁导率的相对变化量,即

  式中 μr1--温度为T1时的磁导率;

  μr2--温度为T2时的磁导率。

  值得注意的是:除了磁导率μ与温度有关系之外,饱和磁感应强度Bs、剩余磁感应强度Br、矫顽力Hc,以及磁心比损耗Pcv(单位重量损耗W/kg)等磁参数,也都与磁心的作温度有关。

  能

  磁导率的测量是间接测量,测出磁心上绕组线圈的电感量,再用公式计算出磁芯材料的磁导率。所以,磁导率的测试仪器就是电感测试仪。在此强调出,有些简易的电感测试仪器,测试频率不能调,而且测试电压也不能调。例如某些电桥,测试频率为100Hz或1kHz,测试电压为0.3V,给出的这个0.3V并不是电感线圈两端的电压,而是信号发生器产生的电压。至于被测线圈两端的电压是个未知数。如果用的仪器测量电感,例如 Agilent 4284A LCR测试仪,不但测试频率可调,而且被测电感线圈两端的电压及磁化电都是可调的。了解测试仪器的这些能,对磁导率的正确测量是大有帮助的。

  方法原理

  说起磁导率μ的测量,似乎非常简单,在材料样环上随便绕几匝线圈,测其电感,找个公式算就了。其实不然,对同只样环,用不同仪器,绕不同匝数,加不同电压或者用不同频率都可能测出差别甚远的磁导率来。成测试结果差别大的原因,并非每个测试人员都有力搞得清楚。本文主要讨论测试匝数及计算公式不同对磁导率测量的影响。

  2.1 计算公式的影响

  大家知道,测量磁导率μ的方法般是在样环上绕N匝线圈测其电感L,因为可推得L的表达式为:

  L=μ0 μN^2A/l (1)

  所以,由(1)式导出磁导率 的计算公式为:

  μ=Ll/μ0N^2A (2)

  式中:l为磁心的磁路长度,A为磁心的横截面积。

  对于具有矩形截面的环型磁芯,如果把它的平均磁路长度l=π(D+d)/2就当作磁心的磁路长度l,把截面积A=h(D-d)/2,μ0=4π×10-7都代入(2)式得:

  μ=L(D+d)*10/4Nh(D-d) (3)

  式中,D为环的外直径,d为内径,h为环的度,如图2所示。把环的内径d=D-2a代入(3)式得:

  μ=L(D-a)*10/4Nha (4)

  式中:a为环的壁厚。

  对于内径较小的环型磁心,内径不如壁厚容易测量,所以用(4)式方便。(4)式与(3)式是等效的,它们的由来是把环的平均磁路长度当成了磁心的磁路长度。用它们计算出来的磁导率称为材料的环磁导率。有人说用环型样品测量出来的磁导率就叫环磁导率,这种说法是不正确的。实际上,环磁导率比材料的真实磁导率要偏些,且样环的壁越厚,误差越大。

  对于样环来说,在相同安匝数磁动势激励下,磁化场在径向方向上是不均匀的。越靠近环壁的外侧面,磁场就越弱。在样环各处磁导率μ不变的条件下,越靠近环壁的外侧,环的磁通密度B就越低。为了消除这种不均匀磁化对测量的影响,我们把样环看成是由无穷多个半径为r,壁厚无限薄为dr的薄壁环组成。根据(1)式,可写出每个薄壁环产生的电感dL为:

  (5)

  由(5)式对r从内半径r1到外半径r2积分,既得到整个样环产生的电感L:

  (6)

  由(6)式导出计算磁导率的公式为:

  (7)

  为了便于实际应用,可把(7)式化为;

  (8)

  上式中:D为样环外径,d为内径。把自然对数换为常用对数,(8)式被化为:

  (9)

  如果样环是由同种材料组成,则用(7)、(8)或(9)式计算出来的磁导率就是其材料的真正磁导率μ。它比其环磁导率略低些。

  2.2 测试线圈匝数N的影响

  由于电感L与匝数N2成正比,按理说用(9)式计算出来的磁导率μ不应该再与匝数N有关系,但实际上却经常有关系。

  关于材料磁导率的测量,般使用的测试频率都不,经常在1kHz或10kHz的频率测试。测试信号般都是使用正弦信号,因为频率不,样环绕组线圈阻抗的电阻分可忽略不计,把绕组线圈看作个纯电感L接在测量仪器上。测试等效电路如图所示,仪器信号源产生的电压有效值为U,Ri为信号源的输出阻抗。由图3很容易写出磁化电的表达式:

  (10)

  上式中,ω为仪器信号源的角频率,L为样环绕组线圈的电感。

  L=μ0μN2Ae /le (11)

  (11)中,Ae为磁心的有效截面积,le为磁心的有效磁路长度。如果把环型磁心的Ae和le代入,(11)式就会变为与(6)式的结果相同。

  测试电产生的有效磁场强度峰值Hm为:

  (12)

  把(10)式和(11)式都代入(12)式得到:

  (13)

  由(13)式可知,当(ωμ0μAe)2N4远小于le2Ri2时,(13)式可近似为:

  (14)

  上式告诉我们,测试线圈匝数很少时,测试磁场强度与匝数成正比。随着匝数的增多,当达到(ωμ0μAe)2N4远大于le2Ri2时,(13)式可近似为:

  (15)

  由(15)式可知,测试线圈匝数太多时,测试磁场强度又会与匝数成反比。

  从以上分析得知,测量磁导率时,样环中的磁化场强度与测试线圈的匝数有关,当匝数为某定值时磁场强度就会达到zui强值。而材料的磁导率又与磁化场强密切相关,所以导致磁导率的测量与测试线圈匝数有关。结合图具体讨论匝数对磁导率测试的影响。

  2.2.1测试电压U较低的情况

  如前所述,对于仪器,如Agilent 4284ALCR 测试仪,它的测试电压可以调得低,以至于测试磁场强度随匝数的变化达到zui强时,仍然没有出磁导率的起始区。这时测得的总是材料的起始磁导率μi,它与测试线圈匝数N无关。用同台仪器,如果把测试电压调得,不能再保证不同匝数测得的磁导率都是起始磁导率,这时所测得的磁导率又会与测试线圈匝数有关了。

  2.2.2 测试电压U不能调的情况

  大多数测量电感的简便仪器,其测试电压和频率都不能灵活调节。如 2810 LCR电桥,其测试频率为100Hz或1kHz,测试电压小于0.3V。