射频磁控溅射镀膜装置 型号：MHY-13452

主要用途：本设备主要用于大院校研究和开发纳米单层膜；如各种硬质膜、金属膜；也可以是非金属、化合物等薄膜材料。可以行直接溅射，亦可以实现反应溅射。

主要点：结构简捷、操作简便，真空度维护，安可靠。

镀膜机应安装在干净无尘埃、无腐蚀性气体的室内，并具备清洁水源、及220V的稳定电压等条件的地方。

1、地面的基本水平度要经过调整，不得低不平；

2、环境温度：10℃～30℃；

3、相对湿度：不大于75%；

4、耗水量（水温度≤25℃，2.5Kg≥水压≥1.5Kg）：约0.2T/h；

5、水质要求：

矽酸硬度<6度，PH值：7－8，电导率：200us/cm,沉积率：<200mg/L。

6、电压： 220V，50HZ， 

电压波动范围： 198～231V；

频率波动范围：49～51Hz;

7、水压：0.3～1Kg/cm2或0.03～0.1MPa/cm2;

8、充入气体纯度99.9%或以上;

9、镀膜用耗材纯度99.9%或以上。

设备规格参数
1.1、溅射处理室： 
       1、钟罩：内径225mm×度260mm；
       2、试样台：直径80mm（zui大）；
       3、试样旋转：静止；
       4、挡板：手动；
       5、衬底加热器：不锈钢加热器（DC24V）； 
       6、衬底温度范围：室温～200℃；
       7、衬底可调距离：20mm～60mm；
       8、溅射室限真空：0.5Pa
1.2、真空系统：
       1、抽气系统：由机械泵组成的真空系统；抽气速率：4升/S
       2、真空检测：电阻真空计、电阻规；
       3、常用真空度：1～20Pa
       4、操作：手动
1.3、溅射电源：
1、射频电源：频率13.560MHZ,率：500W，用表示； 
2、阻抗匹配器范围：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω； 
3、供电：AC 220V；
4、冷却方式：风冷；
  1.4、 磁控靶：
1、靶材直径：Ф50mm、 个磁靶；
2、靶材厚度：3～6mm；
1.5、气系统：2路转子量计气，
1.6、电源要求：AC 220V  50Hz  10A 
1.7、气体要求：氩气--纯度99.9%(样品有殊要求时使用纯)
1.8、冷却要求：靶体水冷，溅射电源风冷
1.9、体积重量：体积：L550mm×W680mm×H1480mm；约120kg