MOS管测试仪

MOS管测试仪 场效应管测定仪  型号：MHY-29256

概述 　

　 MOS管测试仪是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。

主要技术性能 　　

　　 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　

　　　 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。

　　　　 3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。

　　　　 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 　

　　 　5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

主要测试功能 　

　　　 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 　

　　　 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。

　　　　 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。

　　　　 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：

　　　 　5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。

　　　　 6、压敏电阻电压的测试等。